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decomposition on Si(110)矢野 雅大; 魚住 雄輝*; 保田 諭; 朝岡 秀人; 塚田 千恵*; 吉田 光*; 吉越 章隆
e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Internet), 16, p.370 - 374, 2018/08
Real-time scanning tunneling microscope (STM) measurements are performed during the thermal decomposition of an oxide layer on Si(110). Voids in which only oxide is removed are formed during the real-time measurements, unlike the thermal decomposition in which bulk Si is desorbed with oxide. Analysis of the STM images reveals that the measurement induces the decomposition of the oxide layer resulting from electron injection into the defect sites. The activation energy of thermal decomposition decreases by 0.4 eV in the range of 700-780
C.
矢野 雅大; 魚住 雄輝*; 保田 諭; 朝岡 秀人
Japanese Journal of Applied Physics, 57(6S1), p.06HD04_1 - 06HD04_4, 2018/06
被引用回数：4 パーセンタイル：20.17(Physics, Applied)We have observed oxide decomposition process on Si(110). We have succeeded to observe metastable area and state by means of scanning tunneling microscope (STM) and X-ray photoemission spectroscopy (XPS), respectively.
鈴木 翔太; 朝岡 秀人; 魚住 雄輝; 近藤 啓悦; 山口 憲司
no journal, ,
Si(110)再構成構造形成に深く関与する表面ストレス(表面エネルギー)の実測には、数mm
サイズ表面全体にわたり、清浄、かつ表面ステップ構造が制御された理想表面が必要である。本研究では、8
22mmSi(110)基板を用いた表面清浄化手法を確立するため、水素終端処理基板、酸化処理基板の保護層除去後の表面構造を比較した。表面LEED像を比較した結果、162再構成構造を示す回折点の鮮明度、及び、162構造形成範囲の広さから、大面積Si(110)表面清浄化手法として酸化膜除去による手法が有効であることが分かった。現在は2つの清浄化手法適用後のSi(110)表面のモルフォロジーについてSTMによる解析を実施中である。
2 through wet etching矢野 雅大; 鈴木 翔太; 魚住 雄輝; 朝岡 秀人
no journal, ,
We have observed roughness and cleanness of Si(110) cleaned by two types of wet etching and low temperature annealing by means of low energy electron diffraction (LEED), scanning tunneling microscope (STM) and auger electron spectroscopy (AES). We have succeeded to obtain clean and large 16 2 surface by wet etching and low temperature annealing.
2シングルドメイン・ダブルドメイン構造形成への影響鈴木 翔太; 矢野 雅大; 魚住 雄輝; 朝岡 秀人; 山口 憲司*
no journal, ,
Si(110)表面は、162ダブルドメイン構造と呼ばれる再構成構造を形成する。近年、外部電場による表面原子拡散(エレクトロマイグレーション)によりSi(110)162ダブルドメイン構造を単一方向に制御したSi(110)162シングルドメイン構造の作製が報告されたが、その詳細な形成機構は未解明である。本研究では通電加熱によるSi(110)162ダブルドメイン構造の作製と加熱による熱歪みの導入を実施し、LEED(低速電子線回折)による表面構造の観察から、Si(110)162シングルドメイン構造、およびダブルドメイン構造の形成条件と表面の歪みとの関係について調べた。その結果、Si(110)表面に一定量の熱歪みを導入することで、表面の最安定構造がダブルドメイン構造からシングルドメイン構造に変化することを見出した。
2構造の作製鈴木 翔太; 矢野 雅大; 魚住 雄輝; 朝岡 秀人; 山口 憲司*
no journal, ,
Si(110)表面162再構成構造の形成に深く関与する表面ストレス(表面エネルギー)の基板たわみ測定には、表面の広範囲で清浄、かつ表面ステップ構造が制御された理想表面が必要である。本研究では、Si(110)基板の表面化学処理により作製した水素終端層、及び酸化層の低温での通電加熱脱離により清浄表面を作製し、広範囲のSi(110) -162構造形成に最適な手法について検討した。LEED像の回折点の輝度を比較した結果、表面化学処理、及び脱離温度プロファイルの差より、酸化層脱離表面は水素終端層脱離表面よりも広範囲で162構造を形成していることが確認され、広範囲での162構造形成には酸化層の作製と加熱脱離のプロセスが最適であることが分かった。
矢野 雅大; 魚住 雄輝*; 保田 諭; 朝岡 秀人
no journal, ,
We have observed time evolution of morphology and electronic state of oxide Si(110) during reduction process. We found metastable area and state by means of scanning tunneling microscope (STM) and X-ray photoemission spectroscopy (XPS), respectively.
2矢野 雅大; 寺澤 知潮; 保田 諭; 町田 真一*; 朝岡 秀人
no journal, ,
Si(110)-162再構成構造上のSi原子の異方性拡散係数比を、走査型トンネル顕微鏡(STM)を用いて「ボイド」を観察することによって決定される。各ボイド深さの異方性成長速度比を評価するために、ボイド縁の長さを測定した。ボイド形状の異方性はボイドが深くなるにつれて低下し、側壁拡散時のSi密度比の低下を示している。拡散したSi原子の上部テラス、下部テラス、および隣接する側壁への移動を考慮して、[1
2]と[12]に沿った方向の拡散係数を決定した。それにより、Si(110)-162のステップ行に平行は、他の方向のものより3.0倍高くなることを明らかにした。
